64Mbit SDRAM 1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL The **K4S641632F-TL60** is a **64Mbit (4M x 16bit) Synchronous DRAM (SDRAM)** manufactured by **SAMSUNG**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Density:** 64Mbit (4M words × 16 bits)  
- **Organization:** 4 Banks × 1M words × 16 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V ± 0.3V  
- **Speed Grade:** **-TL60** (6ns access time, 166MHz operating frequency)  
- **Package:** **54-pin TSOP-II** (400mil width)  
- **Refresh Cycles:** 4096 refresh cycles / 64ms  
- **CAS Latency (CL):** 2, 3 programmable  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, full page  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions:**
- **Synchronous Operation:** Clock-triggered commands and data transfer.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Supports both modes for power efficiency.  
- **Burst Read & Write:** Supports programmable burst lengths.  
- **Bank Selection:** 4 internal banks for concurrent operations.  
- **Low Power Consumption:** Standby and active power-saving modes.  

### **Features:**
- **Fully Synchronous:** All signals registered on the positive clock edge.  
- **Programmable Burst Mode:** Supports sequential or interleaved bursts.  
- **Single 3.3V Power Supply:** Compatible with low-voltage systems.  
- **Auto Precharge:** Option for automatic row precharge.  
- **Industrial Standard Pinout:** Compatible with other 16-bit SDRAMs.  

This SDRAM is commonly used in **networking equipment, embedded systems, and consumer electronics** requiring high-speed memory access.  

(Data sourced from Samsung’s official datasheet.)