64Mbit SDRAM The **K4S641632E-TL75** is a **64Mbit (4M x 16) Synchronous DRAM (SDRAM)** manufactured by **Samsung**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Organization:** 4M x 16 (64Mbit)  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed Grade:** -TL75 (7.5ns access time, 133MHz clock frequency)  
- **Package:** 54-pin TSOP-II  
- **Refresh Cycles:** 4096 (64ms refresh interval)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  
- **Interface:** LVTTL  

### **Descriptions:**
- Fully synchronous operation with a single 3.3V power supply.  
- Supports burst read/write operations (1, 2, 4, 8, or full-page).  
- Programmable CAS latency (2 or 3 cycles).  
- Auto refresh and self refresh modes.  
- Compatible with JEDEC standards.  

### **Features:**
- **High-Speed Performance:** 7.5ns access time, 133MHz operation.  
- **Low Power Consumption:** Standby and sleep modes reduce power usage.  
- **Burst Mode Support:** Enhances data transfer efficiency.  
- **Auto Precharge:** Improves memory management.  
- **Wide Compatibility:** Works with various SDRAM controllers.  

This SDRAM is commonly used in **embedded systems, networking devices, and consumer electronics** requiring high-speed memory access.

64Mbit SDRAM The **K4S641632E-TL75** is a **64Mbit (4M x 16) Synchronous DRAM (SDRAM)** manufactured by **Samsung (SAM)**.  

### **Key Specifications:**  
- **Density:** 64Mbit (4M words × 16 bits)  
- **Organization:** 4 banks × 1M words × 16 bits  
- **Voltage Supply:** 3.3V (±0.3V)  
- **Speed:** 7.5ns (133MHz @ CL=3)  
- **Package:** 54-pin TSOP II  
- **Refresh:** 4096 refresh cycles / 64ms  
- **Burst Length:** 1, 2, 4, 8, or full page  
- **CAS Latency (CL):** 2, 3 programmable  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Features:**  
- Fully synchronous operation with a single 3.3V power supply  
- **Auto Refresh (CBR) & Self Refresh** modes  
- **Programmable Burst Length & Burst Type (Sequential/Interleave)**  
- **Auto Precharge & Power Down Mode** for low power consumption  
- **Byte Control (DQM) for write masking**  
- **4 internal banks for concurrent operations**  
- **JEDEC-compliant**  

This SDRAM is commonly used in **PCs, networking devices, embedded systems, and consumer electronics** requiring high-speed memory access.  

(Source: Samsung Semiconductor Datasheet)