KU310N10P

N-ch Trench MOS FET The KU310N10P is a power MOSFET manufactured by **KU Semicon**. Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 75A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 300A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 10mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Package:** TO-247  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Suitable for motor control, power supplies, and inverters.  

### **Features:**  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications.  
- **Low gate charge** for reduced drive requirements.  
- **Avalanche energy rated** for rugged performance.  
- **High current handling capability.**  

For exact application details, refer to the **official datasheet** from KU Semicon.

N-ch Trench MOS FET