KTS6029S

### **Specifications:**  
- **Type:** Power Transistor  
- **Technology:** Silicon NPN Darlington  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 100V  
- **Collector Current (IC):** 8A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 50W  
- **DC Current Gain (hFE):** 1000 (min)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- High current gain (Darlington configuration)  
- Low saturation voltage  
- Designed for general-purpose power amplification and switching applications  
- Suitable for motor control, power supplies, and inductive load switching  
- Built-in freewheeling diode for inductive load protection  
- RoHS compliant  

(Note: Verify datasheet for exact parameters as specifications may vary.)