KTN2907S

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING) The KTN2907S is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -600mA  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 (min) @ IC = -10mA, VCE = -1V  
- **Transition Frequency (fT):** 200MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KTN2907S is a general-purpose PNP transistor designed for switching and amplification applications.  
- It comes in a SOT-23 surface-mount package, making it suitable for compact electronic designs.  
- It is commonly used in low-power circuits, signal amplification, and switching applications.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) for improved amplification efficiency.  
- Low saturation voltage for better switching performance.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  
- Suitable for a wide range of general-purpose applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For exact performance characteristics, always refer to the official datasheet.

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT SWITCHING)