KTN2907AU

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) The KTN2907AU is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -60V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** -600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 300 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
- The KTN2907AU is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is commonly used in low-power circuits, signal amplification, and as a switch in electronic devices.  
- The SOT-23 package makes it suitable for compact and surface-mount applications.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching performance.  
- High transition frequency (f_T) for fast switching applications.  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING)