KTD2060

TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR(GENERAL PURPOSE) The part **KTD2060** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Co., Ltd.)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.035Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
The **KTD2060** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High current capability  
- Improved thermal performance  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the provided knowledge base.

TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR(GENERAL PURPOSE)