KTC3880S

Conductor Holdings Limited - NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor The part **KTC3880S** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Corporation)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -3A  
- **Power Dissipation (P_C):** 1W  
- **Junction Temperature (T_j):** 150°C  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-320 (at I_C = -0.5A, V_CE = -5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz (min)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain and low saturation voltage.  
- Suitable for low-power applications.  
- Epitaxial planar construction ensures reliability.  
- Available in **TO-92** package.  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from KEC.

Conductor Holdings Limited - NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor