KTC3879

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH FREQUENCY, HF VHF BAND AMPLIFIER) **Part Number:** KTC3879  
**Manufacturer:** DIODES  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 40V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 600mA  
- **Power Dissipation (PD):** 225mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-400 (at IC = 10mA, VCE = 1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The KTC3879 is a high-performance NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is housed in a compact SOT-23 package, making it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Compact SOT-23 package  
- Suitable for low-power applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official documentation.

EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (HIGH FREQUENCY, HF VHF BAND AMPLIFIER)