KTA1664

### **Specifications:**  
- **Type:** High-power RF transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Package Type:** TO-3P  
- **Maximum Power Dissipation (Pd):** 150W  
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 230V  
- **Collector Current (Ic):** 15A  
- **Transition Frequency (ft):** 30MHz  
- **Gain (hFE):** 15-60  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The KTA1664 is a high-power RF transistor designed for use in amplification and switching applications. It is built with robust silicon material, ensuring reliability in demanding environments.  

### **Features:**  
- High power dissipation capability  
- Suitable for RF and linear amplification  
- Robust TO-3P package for efficient heat dissipation  
- Wide operating temperature range  
- Medium-frequency operation  

This information is based solely on the provided knowledge base. No additional guidance or suggestions are included.