KTA1663

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT) The part **KTA1663** is a **PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor** manufactured by **Toshiba**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP  
- **Material:** Silicon  
- **Structure:** Epitaxial Planar  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -1.5A  
- **Total Power Dissipation (P_TOT):** 1W  
- **Junction Temperature (T_j):** 150°C  
- **Storage Temperature (T_stg):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **general-purpose amplification and switching** applications.  
- **High current capability** (up to -1.5A).  
- **Low saturation voltage**, making it efficient for switching.  
- **Epitaxial planar construction** ensures reliability and performance.  
- Commonly used in **audio amplifiers, power regulators, and driver circuits**.  

For exact electrical characteristics and performance curves, refer to the **official Toshiba datasheet**.

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (HIGH CURRENT)