KTA1036

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE) Here are the factual details about part **KTA1036** from the manufacturer **KEC**:

### **Specifications:**
- **Type:** PNP Transistor  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** -500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **Junction Temperature (T_j):** 150°C  
- **DC Current Gain (h_FE):** 120 ~ 400 (at I_C = -100mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  

### **Descriptions:**
- The **KTA1036** is a **PNP silicon epitaxial planar transistor** designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is housed in a **TO-92** package, making it suitable for compact circuit designs.  

### **Features:**
- **High current gain (h_FE)** for improved amplification performance.  
- **Low saturation voltage** for efficient switching applications.  
- **High transition frequency (f_T)** for better high-frequency response.  
- **Reliable and durable** construction for stable operation in various electronic circuits.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and specifications.

EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE)