KST5087

PNP Epitaxial Silicon Transistor Here are the factual details about part **KST5087** from the manufacturer **SAMSUNG**:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** KST5087  
- **Type:** Transistor  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 60V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 0.5A  
- **Power Dissipation (Pd):** 0.625W  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 - 320  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz  
- **Package Type:** TO-92  

### **Descriptions:**
- The **KST5087** is an **NPN bipolar junction transistor (BJT)** designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is commonly used in low-power circuits, signal amplification, and switching operations.  

### **Features:**
- **High current gain (hFE)** for efficient signal amplification.  
- **Low noise** performance, suitable for audio applications.  
- **Compact TO-92 package**, making it easy to integrate into various circuit designs.  
- **Reliable performance** in switching and amplification tasks.  

These details are based on the manufacturer's specifications and datasheet for **KST5087**. Let me know if you need further assistance.

PNP Epitaxial Silicon Transistor