KST3906

PNP Epitaxial Silicon Transistor The KST3906 is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Transistor  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -40V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -200mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 300mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 300 (varies by operating conditions)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KST3906 is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is housed in a **TO-92** package, making it suitable for through-hole PCB mounting.  
- The transistor is commonly used in low-power circuits, signal amplification, and switching applications.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) for improved amplification.  
- Low noise performance, making it suitable for audio applications.  
- Fast switching speed, useful in digital circuits.  
- Complementary NPN counterpart: **KST3904** (for push-pull configurations).  

For exact performance characteristics, refer to the official **SAMSUNG datasheet**.

PNP Epitaxial Silicon Transistor