KST3906-MTF

PNP Epitaxial Silicon Transistor The KST3906-MTF is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -40V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -200mA  
- **Power Dissipation (PD):** 300mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (at IC = -10mA, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KST3906-MTF** is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications.  
- It is housed in a **SOT-23** surface-mount package, making it suitable for compact electronic designs.  
- It is commonly used in low-power circuits, signal amplification, and switching applications.  

### **Features:**  
- **High current gain (hFE)** for improved amplification.  
- **Low saturation voltage**, enhancing switching efficiency.  
- **Compact SOT-23 package**, ideal for space-constrained PCB designs.  
- **Reliable performance** across a wide temperature range.  

For exact datasheet details, refer to **SAMSUNG's official documentation**.

PNP Epitaxial Silicon Transistor