KST2907AMTF

PNP Epitaxial Silicon Transistor The part **KST2907AMTF** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Surface Mount)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 350mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-300 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **KST2907AMTF** is a PNP transistor in a **SOT-23** surface-mount package, designed for general-purpose amplification and switching applications. It is a complementary device to the **2N2907** transistor but in a smaller form factor.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- High-speed switching capability  
- Suitable for low-power applications  
- Compact SOT-23 package for space-constrained designs  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

PNP Epitaxial Silicon Transistor