KST2222A

NPN Epitaxial Silicon Transistor Here is the factual information about part **KST2222A** from the manufacturer **SAMSUNG**:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** KST2222A  
- **Type:** Transistor (BJT - Bipolar Junction Transistor)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300 (varies by operating conditions)  
- **Package Type:** TO-92  

### **Descriptions:**  
The **KST2222A** is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for amplification and switching applications. It is commonly used in low-power circuits, signal amplification, and as a switching device in electronic designs.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE) for efficient amplification  
- Low saturation voltage for improved switching performance  
- Suitable for high-speed switching applications  
- Compact TO-92 package for easy PCB mounting  
- Reliable performance in a wide range of electronic circuits  

This information is based solely on the manufacturer's specifications for the **KST2222A** transistor.

NPN Epitaxial Silicon Transistor