KST13

NPN Epitaxial Silicon Transistor Here are the factual details about part **KST13** from the manufacturer **KEC**:  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** KST13  
- **Manufacturer:** KEC (Korea Electronics Company)  
- **Type:** NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, switching  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 500mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 625mW  
- **Junction Temperature (TJ):** 150°C  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz (min)  
- **DC Current Gain (hFE):** 40 ~ 320 (at IC = 10mA, VCE = 1V)  
- **Package Type:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
- The **KST13** is a general-purpose NPN transistor designed for high-frequency amplification and switching applications.  
- It features low saturation voltage and high current gain, making it suitable for small-signal amplification.  
- The SOT-23 package ensures compact and efficient PCB mounting.  

### **Features:**  
- **High Transition Frequency (fT):** Ensures good performance in RF and high-speed switching circuits.  
- **Low Saturation Voltage:** Improves efficiency in switching applications.  
- **Wide hFE Range:** Provides flexibility in circuit design.  
- **Compact SOT-23 Package:** Suitable for space-constrained applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

NPN Epitaxial Silicon Transistor