KST10MTF

NPN Epitaxial Silicon Transistor The KST10MTF is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) – 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The KST10MTF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- Low gate charge for improved switching performance  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High ruggedness and reliability  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the KST10MTF. For detailed application notes, refer to the official documentation.

NPN Epitaxial Silicon Transistor