KSR2009

PNP (SWITCHING APPLICATION) The part **KSR2009** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 120A  
- **Power Dissipation (PD):** 79W  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.028Ω (max at VGS = 10V)  
- **Gate Charge (Qg):** 30nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1200pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **KSR2009** is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and fast switching capabilities, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Robust thermal performance  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching applications  

For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official **FAIRCHILD datasheet**.

PNP (SWITCHING APPLICATION)