KSR1104

NPN Epitaxial Silicon Transistor Here are the factual details about part KSR1104 from the manufacturer KEC:

### **Specifications:**
1. **Type:** NPN Epitaxial Planar Transistor  
2. **Maximum Ratings:**  
   - Collector-Base Voltage (VCBO): 50V  
   - Collector-Emitter Voltage (VCEO): 50V  
   - Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V  
   - Collector Current (IC): 150mA  
   - Total Power Dissipation (PT): 250mW (at Ta=25°C)  
   - Operating and Storage Temperature Range (Tj, Tstg): -55°C to +150°C  

3. **Electrical Characteristics:**  
   - DC Current Gain (hFE): 120~400 (at VCE=6V, IC=2mA)  
   - Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)): 0.3V (max) (at IC=50mA, IB=5mA)  
   - Transition Frequency (fT): 250MHz (min)  

### **Descriptions:**  
- The KSR1104 is a high-frequency, low-noise NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is packaged in a small SOT-23 surface-mount form factor.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) range for improved amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Suitable for high-frequency applications due to its transition frequency (fT).  
- Compact SOT-23 package for space-saving PCB designs.  

For further details, refer to the official KEC datasheet.

NPN Epitaxial Silicon Transistor