KSR1101

NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **KSR1101** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Part Number:** KSR1101  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 50V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 600mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **KSR1101** is a small-signal NPN transistor optimized for high-speed switching and amplification in low-power circuits. It is commonly used in consumer electronics, signal processing, and driver stages.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Reliable performance in general-purpose applications  

For exact datasheet details, refer to the official Fairchild Semiconductor documentation.

NPN Epitaxial Silicon Transistor