KSR1004TA

NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **KSR1004TA** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD  
- **Part Number:** KSR1004TA  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300 (at I_C = 500mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions:**  
- The KSR1004TA is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for amplification and switching applications.  
- It is suitable for low-power, high-speed switching circuits and linear amplification.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Reliable performance in a compact TO-92 package  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

NPN Epitaxial Silicon Transistor