KSR1003TA

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 30A  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 9mΩ (max) @ VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 1V (min) - 2V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1800pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions:**  
- The KSR1003TA is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability.  
- Suitable for switching and amplification in power circuits.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses.  
- Fast switching speed.  
- High current capability.  
- Robust thermal performance.  
- TO-220 package for efficient heat dissipation.  

(Note: All data is based on Fairchild's official documentation.)