KSP55

PNP Epitaxial Silicon Transistor The KSP55 is an NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 200MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The KSP55 is a general-purpose NPN transistor designed for amplification and switching applications. It is housed in a TO-92 package, making it suitable for low-power circuits.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Suitable for driver stages and signal amplification  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the KSP55 transistor.

PNP Epitaxial Silicon Transistor