KSP12TA

NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor The part **KSP12TA** is manufactured by **FAIRCHILD**. Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **Junction Temperature (T_J):** 150°C  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 250 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (Typical)  

### **Description:**
The **KSP12TA** is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for amplification and switching applications. It is housed in a **TO-92** package, making it suitable for compact electronic circuits.

### **Features:**
- **High current gain (h_FE)** for improved signal amplification  
- **Low saturation voltage** for efficient switching  
- **Fast switching speed** (suitable for high-frequency applications)  
- **Reliable performance** in a wide range of operating conditions  

This transistor is commonly used in **audio amplifiers, signal processing circuits, and switching applications**.

NPN Epitaxial Silicon Darlington Transistor