KSP06BU

NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **KSP06BU** is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **Fairchild Semiconductor**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **KSP06BU** is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications. It is housed in a **TO-92** package, making it suitable for through-hole PCB mounting.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Suitable for low-power amplification and switching circuits  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the **KSP06BU** transistor.

NPN Epitaxial Silicon Transistor