KSH44H11TF

NPN Epitaxial Silicon Transistor The KSH44H11TF is a PNP power transistor manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -80V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -8A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 160 (at I_C = 4A, V_CE = -4V)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -65°C to +150°C  
- **Storage Temperature (T_stg):** -65°C to +150°C  

### **Description:**  
The KSH44H11TF is a high-voltage, high-current PNP transistor designed for power amplification and switching applications. It is housed in a TO-220F package, providing efficient thermal performance.  

### **Features:**  
- High current capability (-8A)  
- High voltage rating (-80V V_CE)  
- Low saturation voltage for improved efficiency  
- Fast switching speed  
- TO-220F (fully insulated) package for better thermal dissipation  

This transistor is commonly used in power supply circuits, motor control, and general-purpose amplification/switching applications.  

(Note: Always refer to the official Fairchild datasheet for precise details and application guidelines.)

NPN Epitaxial Silicon Transistor