KSE45H11TU

PNP Epitaxial Silicon Transistor The KSE45H11TU is a PNP power transistor manufactured by FAIRCHILD. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -100V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -100V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -10A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 80W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE):** 30 (min) at I_C = -4A, V_CE = -4V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -65°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range:** -65°C to +150°C  

### **Description:**  
The KSE45H11TU is a high-voltage, high-current PNP transistor designed for power amplification and switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and audio amplifiers.  

### **Features:**  
- High current capability (-10A)  
- High voltage rating (-100V)  
- Low saturation voltage for improved efficiency  
- TO-220 package for easy mounting and heat dissipation  
- Suitable for linear and switching applications  

For exact performance characteristics, refer to the official FAIRCHILD datasheet.

PNP Epitaxial Silicon Transistor