PNP Epitaxial Silicon Transistor The KSE350S is a PNP silicon transistor manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are its specifications, descriptions, and features based on available information:

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Silicon Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -30V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100–300 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The KSE350S is a general-purpose PNP transistor designed for amplification and switching applications. It is housed in a TO-92 package, making it suitable for compact circuit designs.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Suitable for low-power applications  

This information is based on Fairchild Semiconductor's documentation for the KSE350S transistor.