### **Specifications:**
- **Manufacturer:** FAIRCHILD  
- **Part Number:** KSE3055TTU  
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-220  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 10A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 20 to 70  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -65°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range:** -65°C to +150°C  

### **Descriptions:**
The **KSE3055TTU** is an NPN power transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is housed in a **TO-220** package, making it suitable for medium-power applications requiring efficient heat dissipation.

### **Features:**
- High current capability (up to 10A)  
- Medium voltage operation (60V)  
- Robust TO-220 package for thermal management  
- Suitable for switching and linear amplification  
- Wide operating temperature range  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the **KSE3055TTU** from **FAIRCHILD**.

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 30mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
The KSE3055TTU is an N-Channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- Low on-resistance  
- High current capability  
- Avalanche energy specified  
- RoHS compliant  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from FSC.