### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60–320  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain with low saturation voltage.  
- Suitable for low-power applications in consumer electronics and industrial circuits.  
- Encapsulated in a TO-92 package for easy PCB mounting.  

(Note: Specifications may vary slightly based on datasheet revisions.)