NPN Silicon Transistor The part **KSE13009FTU** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Power Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 400V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 700V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 9V  
- **Collector Current (I_C):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 8 to 40 (at I_C = 6A, V_CE = 5V)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -65°C to +150°C  
- **Package:** TO-220F (Fully Insulated)  

### **Description:**  
The **KSE13009FTU** is a high-voltage, high-current NPN bipolar power transistor designed for switching applications in power supplies, inverters, and motor control circuits. It features a fully insulated TO-220F package, providing electrical isolation between the device and the heatsink.  

### **Features:**  
- High voltage capability (400V V_CEO)  
- High current handling (12A I_C)  
- Fully insulated package (TO-220F)  
- Low saturation voltage for improved efficiency  
- Suitable for high-power switching applications  

This information is based on standard specifications for the **KSE13009FTU** from FAIRCHILD. For exact performance characteristics, refer to the official datasheet.

NPN Silicon Transistor