### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Voltage Ratings:**  
  - Collector-Emitter Voltage (V_CE): 400V  
  - Collector-Base Voltage (V_CB): 700V  
  - Emitter-Base Voltage (V_EB): 9V  
- **Current Ratings:**  
  - Collector Current (I_C): 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gain (h_FE):** 8 to 40 (depending on operating conditions)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- Commonly used in power supplies, inverters, and electronic ballasts.  
- **Package:** TO-220 (through-hole mounting).  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C.  

This transistor is optimized for efficient performance in demanding power applications.