### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 400V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 700V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 9V  
- **Collector Current (I_C):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 80W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 8-40  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- High-voltage, high-speed switching transistor  
- Designed for power switching applications  
- Low saturation voltage for improved efficiency  
- High current capability  
- TO-220F package for effective heat dissipation  
- Suitable for use in power supplies, inverters, and motor control circuits  

This information is based on Fairchild's datasheet for the KSE13005FH1TU transistor.