### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Voltage Ratings:**  
  - Collector-Emitter Voltage (V_CEO): 400V  
  - Collector-Base Voltage (V_CBO): 500V  
  - Emitter-Base Voltage (V_EBO): 9V  
- **Current Ratings:**  
  - Collector Current (I_C): 4A  
  - Base Current (I_B): 2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 8 to 40 (at I_C = 2A, V_CE = 5V)  
- **Switching Speed:**  
  - Turn-On Time (t_on): 500ns (typical)  
  - Turn-Off Time (t_off): 1000ns (typical)  
- **Package:** TO-220 (through-hole)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- Suitable for power supplies, inverters, motor control, and general-purpose amplification.  
- Features low saturation voltage and high current capability.  
- Robust construction for reliable performance in demanding environments.  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the KSE13005 transistor.