NPN Silicon Transistor The part **KSE13003** is a high-voltage NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by **SI (Semiconductor Ideas to the Market)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 400V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 500V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 9V  
- **Collector Current (I_C):** 1.5A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 40W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 8-40  
- **Transition Frequency (f_T):** 4MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-126  

### **Description:**  
The **KSE13003** is a high-voltage, medium-power NPN transistor designed for switching and amplification applications. It is commonly used in power supplies, inverters, and electronic ballasts.  

### **Features:**  
- High voltage capability  
- Fast switching speed  
- Low saturation voltage  
- Robust construction for reliability  

For exact performance characteristics, refer to the official **SI datasheet**.