KSD882YS

NPN Epitaxial Silicon Transistor The KSD882YS is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -30V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -3A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1.25W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60 to 320 (depending on operating conditions)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** SOT-89  

### **Description:**
The KSD882YS is designed for general-purpose amplification and switching applications. It is suitable for low to medium power circuits and offers good current gain and saturation characteristics.

### **Features:**
- High current capability (up to 3A)  
- Low saturation voltage  
- Complementary NPN type available (KSC2383YS)  
- Compact SOT-89 surface-mount package  
- Suitable for switching and amplification in consumer electronics, power management, and industrial applications  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from ON Semiconductor (formerly Fairchild).

NPN Epitaxial Silicon Transistor