NPN Epitaxial Silicon Transistor The KSD882YS is a PNP bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -30V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -3A  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 1.25W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60 to 320 (depending on operating conditions)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** SOT-89  

### **Description:**
The KSD882YS is designed for general-purpose amplification and switching applications. It is suitable for low to medium power circuits and offers good current gain and saturation characteristics.

### **Features:**
- High current capability (up to 3A)  
- Low saturation voltage  
- Complementary NPN type available (KSC2383YS)  
- Compact SOT-89 surface-mount package  
- Suitable for switching and amplification in consumer electronics, power management, and industrial applications  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from ON Semiconductor (formerly Fairchild).

NPN Epitaxial Silicon Transistor The manufacturer FAI (First Article Inspection) specifications, descriptions, and features for part **KSD882YS** are as follows:  

### **Manufacturer:**  
- **FAI (First Article Inspection)** is a quality control process used to verify that the initial production run of the part meets all specified requirements before full-scale manufacturing begins.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Polarity:** NPN  
- **Package:** TO-126  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (Vceo):** 30V  
- **Maximum Collector Current (Ic):** 3A  
- **Power Dissipation (Pd):** 10W  
- **DC Current Gain (hFE):** 60-300 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (ft):** 3MHz  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain with low saturation voltage.  
- Suitable for use in power regulation, motor control, and audio amplification circuits.  
- Robust construction for reliable performance in various electronic devices.  
- Compliant with industry-standard specifications for NPN transistors.  

For detailed FAI reports, refer to the manufacturer's documentation or quality assurance records.