KSD880-Y

NPN Epitaxial Silicon Transistor The KSD880-Y is a PNP silicon transistor manufactured by Toshiba. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Material:** Silicon  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** -3A  
- **Maximum Power Dissipation (P_C):** 30W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60 to 320 (at I_C = -2A, V_CE = -5V)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Storage Temperature (T_stg):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The KSD880-Y is a high-power PNP transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is housed in a TO-126 package, providing good thermal performance.  
- Suitable for use in power supply circuits, motor control, and audio amplification.  

### **Features:**  
- High current capability (up to 3A).  
- High power dissipation (30W).  
- Wide range of DC current gain (h_FE).  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Robust construction for reliable performance.  

This information is based on Toshiba's datasheet for the KSD880-Y transistor.

NPN Epitaxial Silicon Transistor