NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **KSD526-Y** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 400V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 500V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Collector Current (I_C):** 1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 40 to 250 (depending on operating conditions)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92  

### **Description:**  
The **KSD526-Y** is a high-voltage NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications. It is commonly used in power supply circuits, inverters, and other high-voltage electronic systems.  

### **Features:**  
- High collector-emitter voltage rating (400V)  
- Medium current handling capability (1A)  
- Low saturation voltage  
- Suitable for linear and switching applications  
- Compact TO-92 package for easy mounting  

This information is based on standard datasheet specifications for the **KSD526-Y** transistor from **FAIRCHILD**. For precise application details, always refer to the official datasheet.

NPN Epitaxial Silicon Transistor