NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **KSD363YTU** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge base:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD  
- **Part Number:** KSD363YTU  
- **Type:** Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Polarity:** NPN  
- **Package:** TO-220  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 100V  
- **Collector Current (IC):** 10A  
- **Power Dissipation (PD):** 50W  
- **DC Current Gain (hFE):** 30 (min)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The **KSD363YTU** is an NPN power transistor designed for high-voltage and high-current applications. It is commonly used in power amplification, switching circuits, and motor control applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 100V VCEO.  
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 10A collector current.  
- **Robust Power Dissipation:** 50W power dissipation for efficient thermal performance.  
- **TO-220 Package:** Provides good heat dissipation and ease of mounting.  
- **Wide Operating Temperature Range:** Suitable for industrial and automotive applications.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.