### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 100V  
- **Collector Current (I_C):** 1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 30-300  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions:**  
The **KSD363-R** is a general-purpose NPN transistor designed for amplification and switching applications. It is suitable for low to medium power circuits.  

### **Features:**  
- High current gain  
- Low saturation voltage  
- Suitable for switching and amplification  
- TO-92 package for easy mounting  

This information is based on the manufacturer's datasheet.