KSD362RTU

NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **KSD362RTU** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** FAIRCHILD  
- **Part Number:** KSD362RTU  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -60V  
- **Collector Current (I_C):** -3A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 (min) @ I_C = 500mA, V_CE = -5V  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The **KSD362RTU** is a PNP transistor in a surface-mount TO-252 (DPAK) package, designed for general-purpose amplification and switching applications. It is suitable for medium-power applications due to its high current and voltage ratings.  

### **Features:**  
- High current capability (3A continuous collector current)  
- Low saturation voltage for efficient switching  
- High DC current gain (h_FE)  
- Surface-mount package (TO-252/DPAK) for compact PCB designs  
- Suitable for power management and amplification circuits  

For detailed electrical characteristics, refer to the official **FAIRCHILD datasheet** for the KSD362RTU.

NPN Epitaxial Silicon Transistor