NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **KSD1621** is manufactured by **UTG (Unisonic Technologies)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Epitaxial Silicon Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 60V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 1.5A  
- **Total Power Dissipation (PTOT):** 1W  
- **Junction Temperature (TJ):** 150°C  
- **Storage Temperature (TSTG):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain bandwidth product.  
- Low saturation voltage.  
- Suitable for low-power applications.  
- Available in TO-92 package.  

For exact electrical characteristics and performance curves, refer to the official UTG datasheet.

NPN Epitaxial Silicon Transistor

NPN Epitaxial Silicon Transistor The KSD1621 is a PNP silicon epitaxial planar transistor manufactured by FAIRCHILD. Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -60V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** -60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -1.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **Junction Temperature (T_j):** 150°C  
- **Storage Temperature Range (T_stg):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (h_FE) with a typical range of 60 to 320.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Epitaxial planar construction ensures reliability and performance.  
- Available in TO-92 package.  

These details are based on FAIRCHILD's documentation for the KSD1621 transistor.

NPN Epitaxial Silicon Transistor