KSC945C-YTA

NPN Epitaxial Silicon Transistor The KSC945C-YTA is a transistor manufactured by Samsung. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 150mA  
- **Power Dissipation (PD):** 250mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 ~ 400 (at IC = 2mA, VCE = 5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  

### **Descriptions:**  
- The KSC945C-YTA is a high-voltage, low-power NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is housed in a compact SOT-23 package, making it suitable for space-constrained PCB designs.  

### **Features:**  
- High voltage capability (up to 50V VCEO)  
- Low noise performance  
- High current gain (hFE) for improved signal amplification  
- Suitable for small-signal amplification and switching circuits  
- Compact SOT-23 package for surface-mount applications  

For exact application details, refer to the official Samsung datasheet.

NPN Epitaxial Silicon Transistor