### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 400V  
- **Collector Current (I_C):** 7A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 8 to 40 (at I_C = 3A, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 10MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220F (isolated tab)  

### **Descriptions:**  
- High-voltage, high-current NPN transistor designed for power applications.  
- Suitable for switching and amplification in industrial and consumer electronics.  

### **Features:**  
- High breakdown voltage (400V).  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- Isolated package (TO-220F) for simplified mounting.  
- High current capability (7A).  

(Data sourced from Fairchild Semiconductor documentation.)