NPN Silicon Transistor The part **KSC3552OTU** is manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 300V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 300V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 7V  
- **Collector Current (I_C):** 10A  
- **Power Dissipation (P_C):** 50W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 15 to 60 (at I_C = 5A, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 20MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- Suitable for power amplification and general-purpose switching.  
- Features low saturation voltage and high current capability.  

### **Features:**  
- High breakdown voltage (300V).  
- High current handling (10A).  
- Low collector-emitter saturation voltage.  
- Fast switching speed.  
- TO-220 package for efficient heat dissipation.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.

NPN Silicon Transistor