NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **KSC3503ESTU** is manufactured by **仙童 (Fairchild Semiconductor)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 300V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 0.1A (100mA)  
- **Power Dissipation (P_D):** 0.8W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 30 to 400 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Package Type:** TO-92 (through-hole)  

### **Descriptions:**  
- The **KSC3503ESTU** is a high-voltage NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- It is suitable for use in power supplies, inverters, and other high-voltage circuits.  

### **Features:**  
- High collector-emitter voltage rating (300V)  
- Low collector current (100mA)  
- Medium power dissipation capability (0.8W)  
- Suitable for small-signal amplification and switching  
- TO-92 package for easy PCB mounting  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

NPN Epitaxial Silicon Transistor