KSC3503DS

NPN Epitaxial Silicon Transistor The KSC3503DS is a high-voltage NPN transistor manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Voltage Ratings:**  
  - **Collector-Base Voltage (V_CB):** 300V  
  - **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 300V  
  - **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Current Ratings:**  
  - **Collector Current (I_C):** 100mA  
  - **Base Current (I_B):** 50mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60 to 320 (at I_C = 10mA, V_CE = 10V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The KSC3503DS is a high-voltage NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for applications requiring high breakdown voltage and medium power handling. It is commonly used in power switching, amplification, and high-voltage circuits.  

### **Features:**  
- High breakdown voltage (300V)  
- Medium power dissipation (1.5W)  
- High DC current gain (h_FE) range  
- Suitable for switching and amplification in high-voltage circuits  
- TO-126 package (similar to TO-220 but with lower power handling)  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the KSC3503DS.

NPN Epitaxial Silicon Transistor