NPN Epitaxial Silicon Transistor The part **KSC3503** is manufactured by **Fairchild Semiconductor (FSC)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Epitaxial Silicon Transistor  
- **Application:** High-voltage switching, general-purpose amplification  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 300V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 300V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 0.7W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 30 to 400 (depending on conditions)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-voltage applications  
- Low leakage current  
- High current gain bandwidth product  
- Suitable for switching and amplification in power circuits  
- TO-92 package for easy mounting  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the KSC3503 transistor.

NPN Epitaxial Silicon Transistor

NPN Epitaxial Silicon Transistor The KSC3503 is a high-voltage NPN transistor manufactured by **Fairchild Semiconductor**. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 300V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 300V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 10W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 30 to 120 (at I_C = 10mA, V_CE = 10V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The KSC3503 is designed for high-voltage applications, including power switching and amplification in circuits requiring high breakdown voltage. It is commonly used in CRT displays, power supplies, and other high-voltage systems.

### **Features:**  
- High breakdown voltage (300V)  
- Medium power dissipation capability (10W)  
- Suitable for high-voltage switching and amplification  
- Complementary PNP part: KSA1381  

The KSC3503 is packaged in **TO-126** or similar form factors.  

*(Note: Always verify datasheet details for exact application conditions.)*

NPN Epitaxial Silicon Transistor